Samsung Electronics официально анонсировала следующий стандарт универсальной флеш-памяти — UFS 5.0. Новое поколение демонстрирует впечатляющий прирост производительности: в среднем в два раза выше показателей UFS 4.1. В первую очередь эта технология призвана обеспечить комфортную работу с искусственным интеллектом прямо на смартфонах и других мобильных устройствах.
По словам Чансока Чоя, руководителя отдела планирования продукции памяти Samsung Electronics, в эпоху встроенного ИИ накопители становятся одним из главных факторов, определяющих реальные возможности искусственного интеллекта. «Успешно завершив разработку первого в отрасли решения UFS 5.0, Samsung устанавливает новый стандарт для портативных накопителей и продолжит внедрять инновации на рынке мобильных платформ следующего поколения», — отметил он.
Новый стандарт предлагает серьёзный скачок в скорости. Пропускная способность UFS 5.0 достигает 10,8 ГБ/с. При последовательном чтении данные передаются на скорости до 10,8 ГБ/с, а при последовательной записи — до 9,5 ГБ/с. Такой результат стал возможен благодаря внедрению новых интерфейсов JEDEC.
Помимо чистой производительности, Samsung значительно улучшила энергоэффективность. По сравнению с UFS 4.1 новый накопитель потребляет примерно на 40% меньше энергии при работе. Кроме того, модуль получился заметно компактнее — его размеры уменьшились на 16,7%. Это особенно важно для современных тонких смартфонов, где каждый миллиметр пространства на счету.
В ближайшие годы Samsung планирует активно внедрять UFS 5.0 в свои флагманские смартфоны, носимые устройства и решения в сфере расширенной реальности (XR). Это позволит мобильным гаджетам быстрее обрабатывать сложные ИИ-задачи локально, без постоянной зависимости от облачных сервисов.
