Компания SK Hynix сообщила о создании первой в мире «самой многослойной в отрасли» флеш-памяти типа TLC 4D NAND, которая имеет 176-слойов с плотностью 521 Гбит.
Главной особенностью нового типа памяти компания отмечает интеграцию под слои с ячейками памяти слоя с периферийными цепями, что в итоге позволит получить на 35% больше памяти из одной пластинки по сравнению с прошлым поколением памяти. К тому же время чтения уменьшилось на 20%, а скорость передачи возросла на 33% до 1,6 Гбит/с. Все это благодаря применению новой технологии выбора массива ячеек.
Массовое производство нового типа памяти компания планирует начать с середины следующего года. Компания уже отправила первые образцы чипов памяти производителям контроллеров, и первые новый тип памяти должны будут получить мобильные устройства, и уже позже начнут производить на их очно и SSD накопители.
Обзор iPhone 12 и iPhone 12 Pro
Как не странно, ну вот и пришло время новых ежегодных обновок от компании Apple. В этом году компания Apple порадовала пользователей своими новыми айфонами, и при этом они стали самыми…
